长鑫科技在集成电路大会上宣布4F²架构DRAM取得关键进展，自研VSG晶体管技术将存储密度提升近三分之一。
美光CEO披露2027年HBM大部分供应已提前签协议，价格大涨正在抹平与传统DRAM的毛利差。
三星称HBM未来将占全球DRAM产能近30％。AI浪潮重塑半导体产业，三星将大量资源转向高利润AI内存产品。
预计2027年HBM将占三星DRAM产能近30％。AI芯片高耗材特性正实质性挤压传统内存，引发行业利润分配重洗牌。
长鑫科技宣布使用超募资金349亿元扩建DRAM研发与后道测试基地。
长鑫科技G5平台量产实现11.95纳米制程突破，每片晶圆裸片产出大增。
长鑫科技宣布第五代DRAM平台正式量产，有源区半间距达11.95纳米，全球份额升至7.67%。
2026年二季度，长鑫存储EBIT利润率飙至82%，超越三星和SK海力士成全球最高。
长鑫科技首份完整半年报出炉：上半年营收1503亿元，同比暴涨873.64%，实现从亏损23亿到盈利近800亿元的逆转。
AI挤占存储产能，集邦咨询预测256GB机型内存成本一年涨近400%，苹果压价失灵，新机零售价或上调10%—20%。
存储涨价传导至终端：部分机型单台加价400至1500元。源头是AI服务器挤占内存产能，低端机承压最重，短期难降价。
央视财经曝华强北手机普涨400至1500元。存储合约价一年多翻倍，利润流向三大原厂，手机厂毛利承压，短期难回落。
ASML一日连发三份公告：三星拟2028年前将HighNAEUV首次用于DRAM量产，台积电定2030年。
长鑫科技上半年营收1503亿元增873.64%，归母净利776亿元，DRAM排名全球第四，利润暴增源于行业涨价。
长鑫科技上半年营收1503.10亿元、净利776.05亿元，同比扭亏。