长鑫科技在集成电路大会上宣布4F²架构DRAM取得关键进展，自研VSG晶体管技术将存储密度提升近三分之一。
长鑫科技总裁在集成芯片大会上宣布，公司4F²DRAM架构取得关键进展，公开专利族超300件领先海内外同行。
10月8日，三星电子Q3营业利润同比暴增782．5％，首破百万亿韩元大关；
10月8日长鑫科技大跌7．79％，主力资金单日净流出超29亿元居全A第一。
长鑫科技宣布使用超募资金349亿元扩建DRAM研发与后道测试基地。
125家公募机构年内参与59只新股网下配售，累计获配338.75亿元。
长鑫科技G5平台量产实现11.95纳米制程突破，每片晶圆裸片产出大增。
长鑫科技宣布第五代DRAM平台正式量产，有源区半间距达11.95纳米，全球份额升至7.67%。
长鑫第五代DRAM平台量产，11.95纳米工艺实现产出大幅提升。高密度优势能否打破海外垄断？具体良率尚待验证。
长鑫科技首份完整半年报出炉：上半年营收1503亿元，同比暴涨873.64%，实现从亏损23亿到盈利近800亿元的逆转。
长鑫科技上半年归母净利776亿元，所得税费用约96亿元。这笔钱算在谁账上？合肥与苏州两条产业资本路径正被重新定价
长鑫科技上半年营收1503亿元增873.64%，归母净利776亿元，DRAM排名全球第四，利润暴增源于行业涨价。
长鑫科技上半年营收1503.10亿元、净利776.05亿元，同比扭亏。
五大行AIC上半年合计净利173.49亿元、同比增约1.4倍，交行半年报股权类估值上升提示账面浮盈边界待核。
A股上半年归母净利润3.58万亿元、同比增19.5%，中位数增速仅0.9%，前5%公司拿走85.75%。