BT财经
rss
存储器
长鑫科技官宣:4F²架构技术突破 相关产品预计年底亮相
长鑫科技在集成电路大会上宣布4F²架构DRAM取得关键进展,自研VSG晶体管技术将存储密度提升近三分之一。
2026-10-11 21:20:02
相关主题:
长鑫科技
dram
国产芯片
存储器
技术突破
© Copyright 2026 BT财经.